SH8K32GZETB

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SH8K32GZETB概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 4.5A(Ta) 1.4W(Ta) 表面贴装型 8-SOP


得捷:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V ±4.5A 8-Pin SOP T/R


儒卓力:
**DUAL N-CH 60V 4,5A 52mOhm SOP8 **


Win Source:
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPLEX / Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 4.5A Ta 1.4W Ta Surface Mount 8-SOP


SH8K32GZETB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.046 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 18 ns

下降时间 13 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SH8K32GZETB
型号: SH8K32GZETB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 60 V, 0.046 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号SH8K32GZETB
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