SIGC81T120R2CLX1SA2

SIGC81T120R2CLX1SA2图片1
SIGC81T120R2CLX1SA2概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV DIE

Summary of Features:

.
Positive temperature coefficient
.
Easy paralleling
.
High robustness

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 3-Pin Die Wafer


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV DIE


SIGC81T120R2CLX1SA2中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 --

外形尺寸

封装 --

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

制造应用 icon_inddrives

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIGC81T120R2CLX1SA2
型号: SIGC81T120R2CLX1SA2
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV DIE

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