晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
N-Channel 60V 22A Tc 3.3W Ta, 43W Tc Surface Mount DPAK-3
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MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
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SVD5867NLT4G
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MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
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晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
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Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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# ON SEMICONDUCTOR SVD5867NLT4G MOSFET, N-CH, 60V, 22A, TO-251 New
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MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3 / N-Channel 60 V 22A Tc 3.3W Ta, 43W Tc Surface Mount DPAK-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 43 W
阈值电压 1.8 V
输入电容 675 pF
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 12.6 ns
输入电容Ciss 675pF @25VVds
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 43W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR