SVD5867NLT4G

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SVD5867NLT4G概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

N-Channel 60V 22A Tc 3.3W Ta, 43W Tc Surface Mount DPAK-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3


立创商城:
SVD5867NLT4G


贸泽:
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  SVD5867NLT4G  MOSFET, N-CH, 60V, 22A, TO-251 New


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MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3 / N-Channel 60 V 22A Tc 3.3W Ta, 43W Tc Surface Mount DPAK-3


SVD5867NLT4G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 675 pF

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 12.6 ns

输入电容Ciss 675pF @25VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.3W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

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型号: SVD5867NLT4G
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V

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