沟槽场截止
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
得捷: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力: **IGBT 650V 4A 1,6V DPAK **
耗散功率 68000 mW
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 133 ns
额定功率Max 68 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册