STGD4M65DF2

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STGD4M65DF2概述

沟槽场截止

IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S


立创商城:
沟槽场截止


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**IGBT 650V 4A 1,6V DPAK **


STGD4M65DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 68000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 133 ns

额定功率Max 68 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGD4M65DF2
型号: STGD4M65DF2
描述:沟槽场截止

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