STGWA50M65DF2

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STGWA50M65DF2概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247 Long Leads


得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE


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STGWA50M65DF2


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Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans IGBT Chip N 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube


STGWA50M65DF2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 162 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGWA50M65DF2
型号: STGWA50M65DF2
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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