STGP6M65DF2参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGP6M65DF2概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220

得捷:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

STGP6M65DF2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 88000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 88 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 88000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP6M65DF2

型号： STGP6M65DF2

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube