SI4965DY

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SI4965DY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 21.0 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.00 W

连续漏极电流Ids 7.10 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4965DY
型号: SI4965DY
制造商: Vishay Siliconix
描述:Trans MOSFET P-CH 8V 8A 8Pin SOIC
替代型号SI4965DY
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