SSM3K7002BS

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SSM3K7002BS概述

SSM3K7002BS N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 NM 高输入阻抗/高速开关

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.62Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Small package • Low ON-resistance : RDSON = 3.3Ω max @VGS = 4.5 V RDSON = 2.6 Ω max @VGS = 5 V RDSON = 2.1 Ω max @VGS = 10V 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RDS(ON)= 3.3Ω(最大)(@ VGS= 4.5 V) RDS(ON)=2.6(最大值)(@ VGS=5 V) RDS(ON)=2.1Ω​​(最大值)(@ VGS=10 V)

SSM3K7002BS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.2A

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSM3K7002BS
型号: SSM3K7002BS
制造商: Toshiba 东芝
描述:SSM3K7002BS N沟道MOSFET 60V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 NM 高输入阻抗/高速开关

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