STS9P3LLH6参数规格_中文资料_数据手册PDF

STS9P3LLH6概述

P-channel -30V, 12mOhm typ., -9A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package

表面贴装型 P 通道 9A（Ta） 2.7W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

贸泽:
MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SO N T/R

安富利:
POWER MOSFET

STS9P3LLH6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12 mΩ

耗散功率 2.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 93 ns

输入电容Ciss 2615pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： STS9P3LLH6

描述：P-channel -30V, 12mOhm typ., -9A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package