SSM6P41FE 复合场效应管 -20V -720mA/-0.72A SOT-563/ES6 marking/标记 PP3 电源管理开关
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -720mA/-0.72A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 300mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -400mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3~-1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ Power Management Switches • 1.5-V drive • Low ON-resistance : Ron = 1.04 Ω max @VGS = -1.5 V : Ron = 0.67 Ω max @VGS = -1.8 V : Ron = 0.44 Ω max @VGS = -2.5 V : Ron = 0.30 Ω max @VGS = -4.5 V 描述与应用| 场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○电源管理开关 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：RON= 1.04Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） ：RON =0.67Ω（最大）（@ VGS=-1.8 V） ：RON =0.44Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） ：RON =0.30Ω（最大）（@ VGS=-4.5 V）