SSM3K7002BFU

SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.5~3.1V 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W Description & Applications | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSⅣ .

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High-Speed Switching Applications . * Analog Switch Applications. * Small package . * Low ON-resistance : RDSON = 3.3 Ω max @VGS = 4.5 V . : RDSON = 2.6 Ω max @VGS = 5 V . : RDSON = 2.1 Ω max @VGS = 10 V . 描述与应用 | 场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *高速开关应用。 *模拟开关应用。 *小型封装。 *低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS=4.5 V）。 RDS（ON）=2.6Ω（最大值）（@ VGS= 5 V）。 RDS（ON）=2.1Ω​​（最大值）（@ VGS=10 V）。