S3MHE3/9AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

S3MHE3/9AT概述

DIODE GEN PURP 1kV 3A DO214AB

Diode Standard 1000V 3A Surface Mount DO-214AB SMC

得捷:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

S3MHE3/9AT中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.15V @2.5A

反向恢复时间 2.5 µs

正向电压Max 1.15V @2.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买S3MHE3/9AT

型号： S3MHE3/9AT

描述：DIODE GEN PURP 1kV 3A DO214AB

替代型号S3MHE3/9AT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
S3MHE3/9AT Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
S3MHE3_A/I 威世	类似代替	S3MHE3/9AT和S3MHE3_A/I的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

S3MHE3/9AT

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

S3MHE3_A/I

威世

类似代替