SCT3080ALGC11

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SCT3080ALGC11概述

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V

SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N


得捷:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N


欧时:
MOSFET N-Channel 30A 650V SiC TO-247


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC


e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube


Win Source:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N / N-Channel 650 V 30A Tc 134W Tc Through Hole TO-247N


SCT3080ALGC11中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 80 mΩ

耗散功率 134 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 571pF @500VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 134W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SCT3080ALGC11
型号: SCT3080ALGC11
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V

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