



碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
得捷:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
欧时:
MOSFET N-Channel 30A 650V SiC TO-247
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
e络盟:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 30A 3-Pin3+Tab TO-247N Tube
Win Source:
SICFET N-CH 650V 30A TO247N / N-Channel 650 V 30A Tc 134W Tc Through Hole TO-247N
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 80 mΩ
耗散功率 134 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 571pF @500VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 134W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16 mm
封装 TO-247-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99