STD19N3LLH6AG概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 10A Tc 30W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
贸泽:
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
STD19N3LLH6AG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 33 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 30 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 321pF @25VVds
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STD19N3LLH6AG
型号： STD19N3LLH6AG
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V