STP20NE06参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP20NE06中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 80.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 70.0 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STP20NE06

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - CHANNEL 60V - 0.06欧姆 - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.06 ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET