SUP40N10-30-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP40N10-30-GE3概述

MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB

N-Channel 100V 38.5A Tc 3.1W Ta, 89W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB

贸泽:
MOSFET

SUP40N10-30-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 89W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP40N10-30-GE3

型号： SUP40N10-30-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB