SUP40P10-43-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP40P10-43-GE3概述

MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB

P-Channel 100V 36A Tc 2W Ta, 125W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB

SUP40P10-43-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 4600pF @50VVds

耗散功率Max 2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP40P10-43-GE3

型号： SUP40P10-43-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB