SIA850DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA850DJ-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

表面贴装型 N 通道 950mA（Tc） 1.9W（Ta），7W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

贸泽:
MOSFET 190V 0.95A 7.0W

SIA850DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.9W Ta, 7W Tc

漏源极电压Vds 190 V

输入电容Ciss 90pF @100VVds

耗散功率Max 1.9W Ta, 7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA850DJ-T1-GE3

型号： SIA850DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6