SUP90N06-5M0P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SUP90N06-5M0P-E3概述

MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB

通孔 N 通道 60 V 90A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB

贸泽:
MOSFET 60V 90A 300W

SUP90N06-5M0P-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 3.75W Ta, 300W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

上升时间 15.0 ns

输入电容Ciss 6190pF @30VVds

耗散功率Max 3.75W Ta, 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP90N06-5M0P-E3

型号： SUP90N06-5M0P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB