SUP90N08-6M8P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP90N08-6M8P-E3概述

MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB

N-Channel 75V 90A Tc 3.75W Ta, 272W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB

SUP90N08-6M8P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.75W Ta, 272W Tc

漏源极电压Vds 75 V

输入电容Ciss 4620pF @30VVds

耗散功率Max 3.75W Ta, 272W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP90N08-6M8P-E3

型号： SUP90N08-6M8P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB

替代型号SUP90N08-6M8P-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
M7P Vishay Siliconix	功能相似	SUP90N08-6M8P-E3和M7P的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SUP90N08-6M8P-E3

Vishay Siliconix

当前型号

M7P

Vishay Siliconix

功能相似