SI3879DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3879DV-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

P-Channel 20V 5A Tc 2W Ta, 3.3W Tc Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

SI3879DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 2W Ta, 3.3W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -5.00 A

输入电容Ciss 480pF @10VVds

耗散功率Max 2W Ta, 3.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3879DV-T1-GE3

型号： SI3879DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

替代型号SI3879DV-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI3879DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI3805DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI3879DV-T1-GE3和SI3805DV-T1-GE3的区别

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