SQD50N04-09H-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SQD50N04-09H-GE3概述

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

N-Channel 40V 50A Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 40V 50A TO252

SQD50N04-09H-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 3.8 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 4240pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQD50N04-09H-GE3

型号： SQD50N04-09H-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO252

替代型号SQD50N04-09H-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQD50N04-09H-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
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