SUP90N08-7M7P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP90N08-7M7P-E3概述

MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V

N-Channel 75V 90A Tc 3.75W Ta, 208.3W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB

贸泽:
MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V

SUP90N08-7M7P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.75W Ta, 208.3W Tc

漏源极电压Vds 75 V

输入电容Ciss 4250pF @30VVds

耗散功率Max 3.75W Ta, 208.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP90N08-7M7P-E3

型号： SUP90N08-7M7P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V

替代型号SUP90N08-7M7P-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUP90N08-7M7P-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUP90N08-6M8P-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SUP90N08-7M7P-E3和SUP90N08-6M8P-E3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SUP90N08-7M7P-E3

Vishay Siliconix

当前型号

SUP90N08-6M8P-E3

Vishay Siliconix

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