SI3812DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3812DV-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

N-Channel 20V 2A Ta 830mW Ta Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

SI3812DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 830mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

耗散功率Max 830mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3812DV-T1-GE3

型号： SI3812DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP

替代型号SI3812DV-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

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