SI4104DY-T1-E3

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SI4104DY-T1-E3概述

MOSFET 100V 4.6A 5W 105mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 100 V 4.6A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SOIC


得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO


贸泽:
MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V


SI4104DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 446pF @50VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4104DY-T1-E3
型号: SI4104DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 100V 4.6A 5W 105mohm @ 10V

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