SUP60N02-4M5P-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUP60N02-4M5P-E3概述

MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V

N-Channel 20V 60A Tc 3.75W Ta, 120W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

贸泽:
MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V

SUP60N02-4M5P-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.75W Ta, 120W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 5950pF @10VVds

耗散功率Max 3.75W Ta, 120W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUP60N02-4M5P-E3

型号： SUP60N02-4M5P-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V