SI4642DY-T1-E3概述
MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V
N-Channel 30V 34A Tc 3.5W Ta, 7.8W Tc Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 34A 8SO
SI4642DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 3.5W Ta, 7.8W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 34.0 A
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 5540pF @15VVds
额定功率Max 7.8 W
耗散功率Max 3.5W Ta, 7.8W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
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替代型号SI4642DY-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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