STB5N80K5概述
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
N-Channel 800V 4A Tc 60W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK / N-Channel 800 V 4A Tc 60W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
STB5N80K5中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 60 W
漏源极电压Vds 800 V
上升时间 11.7 ns
最小反向击穿电压 800 V
输入电容Ciss 177pF @100VVds
下降时间 14.8 ns
下降时间Max 14.8 ns
上升时间Max 11.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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