STL8N6F7

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STL8N6F7概述

N沟道 60V 36A

表面贴装型 N 通道 36A(Tc) 3W(Ta),60W(Tc) PowerFlat™(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT


立创商城:
N沟道 60V 36A


贸泽:
MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R


STL8N6F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 21 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 60 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 3.25 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

下降时间 3.95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STL8N6F7
型号: STL8N6F7
描述:N沟道 60V 36A

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