STB100NF04

STB100NF04中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STB100NF04
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N沟道40V - 0.0043ohm - 120A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 0.0043ohm - 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

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