SMBTA14E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBTA14E6327概述

SOT-23 NPN 30V 0.3A

Bipolar BJT Transistor

得捷:
TRANSISTOR DARLINGTON NPN 30V

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

SMBTA14E6327中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 10000 @10mA, 5V

额定功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBTA14E6327

型号： SMBTA14E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOT-23 NPN 30V 0.3A

替代型号SMBTA14E6327