SH8KA2GZETB参数规格_中文资料_数据手册PDF

SH8KA2GZETB概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP

得捷:
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

贸泽:
MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 8 A, 0.023 ohm, SOP, 表面安装

SH8KA2GZETB中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 1 V, 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 ±30 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 330pF @15VVds

额定功率Max 2.8 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

SH8KA2GZETB引脚图与封装图

在线购买SH8KA2GZETB

型号： SH8KA2GZETB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V