SMCJ8.0CA-E3/9AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMCJ8.0CA-E3/9AT概述

Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

13.6V Clamp 110.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMCJ

得捷:
TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5KW 2-Pin SMC T/R

SMCJ8.0CA-E3/9AT中文资料参数规格

技术参数

工作电压 8 V

击穿电压 8.89 V

钳位电压 13.6 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 8.89 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMCJ8.0CA-E3/9AT

型号： SMCJ8.0CA-E3/9AT

描述：Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin SMC T/R

替代型号SMCJ8.0CA-E3/9AT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMCJ8.0CA-E3/9AT Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMCJ8.0CAHE3/9AT 威世	完全替代	SMCJ8.0CA-E3/9AT和SMCJ8.0CAHE3/9AT的区别
SMCJ8.0CA-M3/57T 威世	完全替代	SMCJ8.0CA-E3/9AT和SMCJ8.0CA-M3/57T的区别
SMCJ8.0CA-E3/57T 威世	类似代替	SMCJ8.0CA-E3/9AT和SMCJ8.0CA-E3/57T的区别