SI8808DB-T2-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI8808DB-T2-E1概述

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

表面贴装型 N 通道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot

得捷:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

DeviceMart:
MOSFET N-CH D-S 30V MICROFOOT

SI8808DB-T2-E1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 330pF @15VVds

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UFBGA-4

外形尺寸

封装 UFBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8808DB-T2-E1

型号： SI8808DB-T2-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V MICROFOOT