SQ1431EH-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQ1431EH-T1_GE3概述

MOSFET P-CH 30V 3A SC70

P-Channel 30V 3A Tc 3W Tc Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6

贸泽:
MOSFET 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified

SQ1431EH-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3 W

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 205pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQ1431EH-T1_GE3

型号： SQ1431EH-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 3A SC70