SI1499DH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1499DH-T1-GE3概述

Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6Pin SC-70 T/R

P-Channel 8V 1.6A Tc 2.5W Ta, 2.78W Tc Surface Mount SC-70-6 SOT-363

得捷:
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET P-CH 8V SC-70-6

SI1499DH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 2.78W Tc

输入电容Ciss 650pF @4VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 2.78W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1499DH-T1-GE3

型号： SI1499DH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET P-CH 8V 1.6A 6Pin SC-70 T/R

替代型号SI1499DH-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI1499DH-T1-E3 Vishay Siliconix	完全替代	SI1499DH-T1-GE3和SI1499DH-T1-E3的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI1499DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

当前型号

SI1499DH-T1-E3

Vishay Siliconix

完全替代