SQ3456BEV-T1_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SQ3456BEV-T1_GE3概述

MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

N-Channel 30V 7.8A Tc 4W Tc Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

贸泽:
MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

SQ3456BEV-T1_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 4 W

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 370pF @15VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQ3456BEV-T1_GE3

型号： SQ3456BEV-T1_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

替代型号SQ3456BEV-T1_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQ3456BEV-T1_GE3和SQ3442EV-T1-GE3的区别
SQ3456EV-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQ3456BEV-T1_GE3和SQ3456EV-T1-GE3的区别
SQ3456BEV-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQ3456BEV-T1_GE3和SQ3456BEV-T1-GE3的区别