SIR472ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR472ADP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

N-Channel 30V 18A Tc 3.3W Ta, 14.7W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR472ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 3.3W Ta, 14.7W Tc

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1040pF @15VVds

耗散功率Max 3.3W Ta, 14.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： SIR472ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8