SUD50P10-43-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SUD50P10-43-E3概述

MOSFET P-CH 100V 38A TO252

P-Channel 100V 38A Tc 8.3W Ta, 136W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak

得捷:
MOSFET P-CH 100V 38A TO252

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUD50P10-43L-GE3

SUD50P10-43-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8.3W Ta, 136W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 5230pF @50VVds

耗散功率Max 8.3W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD50P10-43-E3

型号： SUD50P10-43-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 100V 38A TO252

替代型号SUD50P10-43-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUD50P10-43-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SUD50P10-43-E3和SUD50P10-43L-E3的区别
SUD50P10-43L-GE3 Vishay Intertechnology	功能相似	SUD50P10-43-E3和SUD50P10-43L-GE3的区别
1043 Vishay Intertechnology	功能相似	SUD50P10-43-E3和1043的区别