SI3424DV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3424DV-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

表面贴装型 N 通道 5A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP

SI3424DV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.14W Ta

漏源极电压Vds 30 V

耗散功率Max 1.14W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3424DV-T1-GE3

型号： SI3424DV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

替代型号SI3424DV-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI3424DV-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI3424DV-T1-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SI3424DV-T1-GE3和SI3424DV-T1-E3的区别
BSL802SNL6327 英飞凌	功能相似	SI3424DV-T1-GE3和BSL802SNL6327的区别
SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI3424DV-T1-GE3和SI3424CDV-T1-GE3的区别