SI1413DH-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1413DH-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

表面贴装型 P 通道 20 V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6

得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

贸泽:
MOSFET

SI1413DH-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1413DH-T1-GE3

型号： SI1413DH-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6