SI7495DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7495DP-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

P-Channel 12V 13A Ta 1.8W Ta Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

SI7495DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 12 V

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7495DP-T1-GE3

型号： SI7495DP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

替代型号SI7495DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7495DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI7635DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SI7495DP-T1-GE3和SI7635DP-T1-GE3的区别

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SI7495DP-T1-GE3

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SI7635DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

功能相似