SI5463EDC-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI5463EDC-T1-GE3图片1

SI5463EDC-T1-GE3图片2

SI5463EDC-T1-GE3图片3

SI5463EDC-T1-GE3概述

MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

表面贴装型 P 通道 3.8A（Ta） 1.25W（Ta） 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5457DC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.25W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -51.0 A

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5463EDC-T1-GE3

型号： SI5463EDC-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8