SQM110P04-04L-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQM110P04-04L-GE3概述

MOSFET P-CH 40V 120A TO263

P-Channel 40V 120A Tc 375W Tc Surface Mount TO-263 D2Pak

得捷:
MOSFET P-CH 40V 120A TO263

SQM110P04-04L-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 375W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 13980pF @20VVds

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQM110P04-04L-GE3

型号： SQM110P04-04L-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 40V 120A TO263

替代型号SQM110P04-04L-GE3