SIE806DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE806DF-T1-GE3概述

MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK®（L）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

SIE806DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 13000pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE806DF-T1-GE3

型号： SIE806DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V

替代型号SIE806DF-T1-GE3