SIE862DF-T1-GE3

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SIE862DF-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK®(U)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIR818DP-T1-GE3


SIE862DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 5.2W Ta, 104W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

输入电容Ciss 3100pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.16 mm

高度 0.8 mm

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE862DF-T1-GE3
型号: SIE862DF-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

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