SIE860DF-T1-E3

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SIE860DF-T1-E3概述

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

表面贴装型 N 通道 60A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK®(M)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK


SIE860DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 104W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 4500pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIE860DF-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

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