SIE848DF-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE848DF-T1-E3概述

MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V

N-Channel 30V 60A Tc 5.2W Ta, 125W Tc Surface Mount 10-PolarPAK® L

得捷:
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

贸泽:
MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V

SIE848DF-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 125W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 6100pF @15VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.16 mm

高度 0.8 mm

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE848DF-T1-E3

型号： SIE848DF-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V