SI4660DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4660DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

N-Channel 25V 23.1A Tc 3.1W Ta, 5.6W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8SO

SI4660DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 5.6W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 2410pF @15VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 5.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4660DY-T1-E3

型号： SI4660DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC