SI7392ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7392ADP-T1-GE3概述

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 5W（Ta），27.5W（Tc） PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

SI7392ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5W Ta, 27.5W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1465pF @15VVds

耗散功率Max 5W Ta, 27.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7392ADP-T1-GE3

型号： SI7392ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

替代型号SI7392ADP-T1-GE3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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Vishay Siliconix

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